RAM 访问速度、延迟与带宽

Question

我对 RAM 速度、延迟和传输速率有点困惑。

据我目前所知，RAM 的评级取决于其时钟速度和延迟。有几种不同的延迟测量（4 个数字的字符串，例如 5-5-5-18），但是唯一真正重要的数字是最后一个，它测量两个“随机”之间的数据访问之间的总体延迟记忆区域（如果我错了，请纠正我）。

我的问题是这样的：

如何计算实际 RAM 延迟（即以纳秒为单位）。是 tRAS 除以 RAM 时钟速度还是 tRAS 除以处理器速度（这对我来说听起来不对，处理器不应该像那样影响 RAM 访问）还是完全不同的东西？

另外，双通道和三通道如何影响 RAM 延迟（据我所知，它不会，它只会影响带宽）以及它到底是如何工作的？它只是基本上类似于硬盘驱动器 RAID 条带化吗？

最后，读取和写入的访问速度有什么区别吗？写入是否需要更长的时间，如果是的话，这如何反映在延迟时间上，或者即使是这样。

谢谢

- 假装

Answer 1

由 4 个数字组成的字符串，例如 5-5-5-18

内存时序通过一系列数字指定：

2-3-2-6-T1
3-4-4-8
2-2-2-5

这些数字表示内存执行特定操作所需的时钟周期数。数字越小，记忆速度越快。

CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD

• CL：CAS 延迟。命令被发送到内存和开始回复它之间所花费的时间。这是处理器从内存请求某些数据和返回数据之间所花费的时间。
• tRCD：RAS 到 CAS 延迟。矩阵中存储数据的行 (RAS) 激活和列 (CAS) 激活之间所花费的时间。
• tRP：RAS 预充电。禁用对一行数据的访问和开始访问另一行数据之间所花费的时间。
• tRAS激活到预充电延迟**。内存必须等待多长时间才能启动下一次对内存的访问。
• CMD：命令速率。从内存芯片被激活到第一个命令被发送之间所花费的时间。有时不提供该值。通常是T1（1个时钟周期）或T2（2个时钟周期）。

CAS 延迟可以说是最重要的数字。CL=3的内存将延迟三个时钟周期来传送数据；CL = 5 的存储器将延迟 5 个时钟周期来执行相同的操作。

每个时钟周期的周期可以计算：

T = 1 / f

假设您的 DDR2-533 内存以 533 MHz（266 MHz 实际时钟）运行，这意味着时钟周期为 3.75 ns。如果该DDR2-533内存的CL=5，则在传送数据之前将延迟18.75 ns，如果CL=3，则将延迟11.25 ns。

请记住，内存还实现突发模式，因此如果下一个请求的数据地址从第一个开始连续，则在获取“下一个”数据时不会有延迟。

它只是基本上类似于硬盘驱动器 RAID 条带化吗？

我相信是的，是的。双通道和三通道（内存必须成对或三个安装）与带宽有关。