为什么 RAM 上有不同的时钟速度和时序?

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在构建计算机或计算机硬件方面,我并不认为自己是新手,但我从未花时间完全了解 RAM。

有人能告诉我为什么在 RAM 方面需要不同的时钟速度吗?
以及时机的好处。

谢谢

Axx*_*err 6

有一种非常简单的方法可以用每个人都会理解的非常实用的术语来演示记忆的计时。如果您没有电子背景,那么兆赫兹和千兆赫兹的时钟速度和总线速度可能看起来有点不透明。

首先要考虑的是实际时钟速度。时钟速度实际上是计算机每秒可以进行操作的次数。在内存的情况下,操作通常是读或写。需要时钟速度和同步,以便所有电子组件知道何时收听代表 1 或 0 的电信号。该位在内存中的正确状态。

其次,让我们将其抽象为电话。想象一下,我们都在使用直接相互连接的电话。我们有一个节拍器,它每五秒点击一次,每次点击时我们轮流说话。我们来回交换信息。我们以预先确定的方式表达信息,即当节拍器点击代表记忆中的 1 和沉默代表零时,在线上尖叫。

既然示例已经布局,我可以使用它来演示有关 ram 功能方式的一些事情。这个例子中的协议是我们每次节拍器点击时轮流。如果我们中的任何一个错过了节拍器的一次点击,我们就会发现自己不同步。当我们两个人没有在正确的时间交谈和倾听时,同步错误就会被有效地表达出来。如果您在我停止大喊大叫后的一毫秒内开始聆听,那么您会错误地将其解释为 0 状态。他们称之为抖动。两端不同步越严重,发生状态确定错误的次数就越多。

需要时钟速度以允许主板和内存正确地相互交换状态信息。存储器的时钟速度或多或少等于它能够读取/写入数据到 RAM 的速度。

内存模块速度存在如此大的差异的原因是,在过去几年中,材料科学开发了低功耗内存,能够每秒保持更多可靠的状态询问点,从而有效地提高内存速度。导线中的电信号从完整的 0 到完整的 1 所花费的时间称为瞬态时间(也称为低态和高态) 读/写内存时,读/写越接近时钟同步脉冲,读/写成功的可能性就越大。它越接近时钟脉冲之间的中点,读/写失败的可能性就越大。

大多数普通用户不会像这样深入了解细节,但如果你很勇敢并且有设计超频计算机或提高总线速度,那么你可能更关心这类事情。您通常可以从电子设备中获得更快的速度,但副作用是更多的热量和更多的错误。热量是发生操作次数增加的函数,误差通常与存储器中半导体材料的特定性能特征直接相关。内存的速度等级或多或少只是内存设计为在可接受的读/写错误量下实现的性能指标。

我希望这回答了你的问题....