rob*_*rob 17
简短的回答:
这取决于你在做什么。随着时间的推移,仅从 SSD 读取数据仍会导致其存储单元退化。以只读方式安装驱动器将阻止您直接写入它,但驱动器的固件仍会产生后台写入。但是根据您的使用模式,您可能有也可能没有什么需要担心的。
长答案:
Flash 错误分析和管理中概述了几种类型的错误:
这篇论文是一篇有趣的读物,但深入到这个层次可能超出了您的问题范围,除了说仅从 NAND 存储器读取不会永远保留数据之外。
根据美光公司 Jim Cooke的演讲,对于 MLC 和 SLC,每 100,000 次读取和 1,000,000 次读取就应该擦除和重新编程单元。
幻灯片 19:
Cells not being read receive elevated voltage stress
Stressed cells are
• Always in the block being read
• Always on pages not being read
Charge collects on the floating gate causing the cell to appear to be weakly programmed
Does not damage cells; ERASE returns cells to undisturbed levels
Disturbed bits are effectively managed with ECC
Run Code Online (Sandbox Code Playgroud)
幻灯片 20:
Rule of thumb for excessive reads per block between ERASE operations
• SLC – 1,000,000 READ cycles
• MLC – 100,000 READ cycles
If possible, read equally from pages within the block
If exceeding the rule-of-thumb cycle count, then move the
block to another location and erase the original block
Establish ECC threshold to move data
Erase resets the READ DISTURB cycle count
Use ECC to recover from read disturb errors
Run Code Online (Sandbox Code Playgroud)
也就是说,这些论文似乎是针对 NAND 存储器的低级用户(例如,SSD 固件开发人员),而不是供最终用户使用的。所以我怀疑您的驱动器固件已经在后台透明地处理了这个问题。
但是回到最初的问题,仅读取是否会导致驱动器磨损?是的。多少?情况很复杂。如果您假设固件每读取 100,000 次就将页面的单元重写到新位置,并且总是有大量可用块,那么每读取 100,000 次就有 1 次写入。但最重要的是,固件还执行磨损均衡和其他任务,将一个逻辑写入放大为多个物理写入。
实际上,您可能不需要特别担心,除非驱动器几乎已满,并且您不断从整个驱动器中读取数据。但是,如果您不间断地从驱动器中读取数据,请在一个月内密切关注 SMART 表,以了解您的读取模式导致后台写入的速度。而且,当然,始终确保您有多个备份。