什么是“低 RDS(on) MOSFET”？

Question

我的 Gigabyte GA-MA790XT-UD4P 主板以Lower RDS(on) MOSFET. 我很好奇这实际上意味着什么。

Answer 1

Rds（ds 应该是下标）的意思是“电阻（漏极到源极）”，漏极是电流流向的地方，源极是电流的来源。

MOSFET 通常用作功率晶体管的更好替代品，并用于大电流开关应用。

具有较低的 Rds 基本上意味着根据欧姆定律，MOSFET 上的功率损失较少，并且说他们的 MOSFET 是低 Rds，他们基本上是在说他们的电路板功率效率更高，因此产生的热量会略少MOSFET 的副产品。

Rds(on) 基本上只是说当 MOSFET 处于“on”状态时 Rds 很低。在关断状态下，MOSFET 不会导通，因此您无需关心电阻。

一点细节...

在最简单的使用中，MOSFET（或金属氧化物半导体场效应晶体管）被用作功率晶体管和继电器开关的直接替代品。MOSFET 的符号有点类似于晶体管，但有一个间隙来说明这样一个事实，即栅极和晶体管的其他部分之间没有直接连接，因此是场效应晶体管。

MOSFET： 晶体管：

由于栅极与器件的电流路径（源极到漏极）有效隔离，这使得它对于更高的电流更有用，因为通过栅极的泄漏更少，从而提高了器件的功率效率相当。

根据维基百科：

MOSFET 用于数字开关的一大优势是栅极和沟道之间的氧化层可防止直流电流流过栅极，从而进一步降低功耗并提供非常大的输入阻抗。栅极和沟道之间的绝缘氧化物有效地将一个逻辑级中的 MOSFET 与前级和后级隔离，这允许单个 MOSFET 输出驱动相当数量的 MOSFET 输入。基于双极晶体管的逻辑（如 TTL）没有如此高的扇出能力。

由于 MOSFET 的结构，即使在完全激活（饱和）时，源极和漏极之间仍然存在电阻，并且该电阻会导致通过器件的一些电流被浪费，从而产生热量。降低该电阻可减少浪费的功率，从而减少 MOSFET 产生的热量。

与晶体管相比，MOSFET 的效率更高，而低 Rds MOSFET 则提高了该功率效率。