如何解释内存 (RAM) 的规格？

Question

在查看内存时，有一些我不明白的规范，希望得到澄清。这些术语是什么意思，它们如何影响系统性能？ 随意提供技术数据和答案，但不特定于我在下面作为示例列出的规格。

• 速度：DDR3 1600、DDR2 800
• 时间：9-9-9-24（每个数字是什么意思？）
• 电压：1.5V（我知道电压是什么，但它如何影响我的系统？）
• 多通道套件：双通道、四通道

Answer 1

速度

数字以 MHz 为单位，代表 RAM 运行的时钟信号频率（DDR RAM 为 x2，因此 DDR2-800 以 400MHz 运行）。DDR 的意思是“双倍数据速率”，这意味着它在信号的上升沿和下降沿都传输数据（而不仅仅是信号开启与关闭）。因此，例如，DDR 为您提供 800MHz 的效果，而实际上仍然只有 400MHz。DDR2 和 DDR3 是 DDR 规范的替代版本。（即：DDR3 是“双倍数据速率类型三”）。

定时

内存时序（或 RAM 时序）统称为一组四个数值参数，称为 CL、tRCD、tRP 和 tRAS，通常表示为一系列以短划线分隔的四个数字，按各自的顺序（例如 5-5-5- 15)。但是，省略 tRAS 或添加第五个值，即命令率，这并不罕见（来自维基百科）。

CL（CAS 延迟）

CAS 延迟是发送 READ 命令和第一条数据在输出上可用之间的延迟（以时钟周期为单位）。

LRCD

行地址到列地址延迟 - tRCD 是发出活动命令和读/写命令之间所用的时钟周期数。在这段时间内，内部行信号稳定到足以让电荷传感器放大它。

反应时间

行预充电时间 - tRP 是发出预充电命令和活动命令之间所用的时钟周期数。在这段时间内，感应放大器充电并且银行被激活。

RAS

行活动时间 - tRAS 是银行活动命令和发出预充电命令之间所用的时钟周期数。

有关这些和其他 RAM 时序元素的更多信息，请参见此处。

电压

列出的电压是为 RAM 模块供电所需的最小/推荐电压。不够，它不能为模块供电，太多，你会损坏模块上的各种芯片。

多通道套件

这些“套件”只是封装在一起的多个单一、相似（尽可能相同）的 RAM 模块。目的（现在）是将它们用于具有双和三（等）RAM 通道功能的主板中。IE：因为你需要 2 根内存条来做双通道，而且这在不久前成为新系统的标准/常规（在三通道、四通道等之前），内存制造商开始将他们现有的“套件”作为“多通道”进行营销套件'。

以前出售套件主要是为了在购买多个模块时降低价格（即：“2GB 套件”中的两个 1GB 模块比购买相同型号的两个单独的 1GB 模块便宜）。