我有一个关于 RAM 内存的两个规格、Mhz 数量和延迟时间的问题(例如:9-9-9-24)。
两者中哪一个对系统性能最重要,为什么?还有这两者究竟有什么区别呢?
Toms Hardware 的一篇文章很好地解释了 RAM 时序
- CAS,通常扩展为列地址选通(或有时扩展为列地址选择),指的是由动态随机存取存储器(DRAM)模块(其中使用的电容器的列和行组成的阵列)中某些物理存储器位置的列本指南中的所有三种类型的 RAM 都是子类型)。CAS 延迟通常首先出现在 RAM 的时序中,表示内存控制器指示内存模块访问其当前行中的特定列与此类访问生成驻留在其中的数据之间经过的时钟周期数。
- Trcd 或 tRCD,通常扩展为 RAS 到 CAS 延迟,其中 RAS 扩展为行地址选通脉冲,其中 R 指由用于 DRAM 模块的电容器的列和行组成的阵列中物理内存位置的行。该值指定行地址选通脉冲 (RAS) 和 CAS 之间的时钟周期数,并表示内存模块的行地址到列地址延迟。
- Trp或tRP,通常扩展为RAS预充电,表示结束对当前行存储器的访问并开始对下一行存储器的访问所需的时钟周期数,因此tRP=行预充电时间。
- tRAS 或 Tras,通常扩展为 RAS 访问时间,通过在初始数据请求和开始下一次内存访问所需的预充电命令之间访问 DRAM 中某一行数据所需的时钟周期数来衡量。根据定义,tRAS 必须大于或等于 CAS 加上 tRCD,再加上额外的两个周期,以便在读取或写入存储器的多个位时留出时间来完成访问,其中 DDR(2 位)、DDR2( 4 位)和 DDR3(8 位)的数量都或多或少。
RAM 内存时序通常显示为由破折号分隔的四个数字的序列,如 5-5-5-15 所示。这表明CAS、tRCD和tRP值都等于5个时钟周期,并且tRAS值等于15个时钟周期。这些序列中出现的数字越小,内存时序就越严格。同样,据说数字越大,时间安排越宽松。简而言之,较低的延迟成本更高,更严格的时序成本更高,而就内存而言,两者的组合成本最高。
我会选择更严格的时序,它们往往会更快,并且 166mhz 的差异甚至不会明显。事实上,它们都非常接近,您不会注意到速度有任何差异。具有较高 Mhz 等级的可能最适合超频,因为它会给你一点空间,因为现代英特尔和所有 AMD 芯片都集成了内存控制器,因此当你提高 FSB 时,你也会对 RAM 进行超频。但同样,这完全是个人喜好,具体取决于您将如何使用系统。如果您只是构建一个不打算超频的库存系统,那么任何一种都可以。
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