一两年前，我可以为我组装的 PC 购买 ECC（纠错码）RAM。ECC RAM 提供 SEC-DED，我猜是由电离辐射引起的位翻转（我不知道还有什么可能导致 RAM 或 I/O 总线中出现瞬时位错误）。
多年来我一直没有看到为 PC 提供 ECC RAM。这是为什么？
如果ECC内存二十年前是有益想必这将是更现在是有帮助的PC有幅度更大的内存的1-2个数量级运行，以更低的电压和更小的物理特征（可能）是从杂散辐射腐败更敏感。这些假设中的任何一个是错误的吗？
即，如果十年前 ECC RAM 被认为是一项有用的功能，那么它有用的原因是否不再适用于当前的个人计算机和服务器？或者现在认为 ECC RAM 从来没有真正有用过？
Gia*_*968 63
换句话说，英特尔在 15 多年前就决定消费者机器不需要它。因此，市场在服务器硬件之外不支持它。因此，最终消费者正在付出代价。
这篇 2021 年 1 月在 ExtremeTech 上发表的文章对所发生的事情进行了相当扎实的总结：“ Linus Tovalds 责备英特尔在消费系统中杀死 ECC RAM ”：
“曾几何时，您可以在主流芯片组上购买 ECC 支持，但英特尔几年前在非至强平台上逐步淘汰了该功能。975X 可能是最后一个支持它的消费级英特尔平台，该家族于 15 年前推出。Xeon 3450 芯片组与 Nehalem 系列中的某些高端 CPU 交叉兼容，但这仍然是 Xeon 芯片组——不是主流部分。”
“因此，消费产品中对 ECC 的支持——以及消费产品中 ECC RAM 的可用性——都下降了。”
由于文章引用了 Linus Torvalds，这里是他的具体抱怨：
“内存制造商声称这是因为经济和低功耗。他们是说谎的混蛋——让我再次指出这些问题如何已经存在了好几代，但这些混蛋高兴地向消费者出售损坏的硬件并声称这是一次“攻击”，而它总是'我们正在偷工减料。'”
这里的问题是 Linux 因内核错误而受到指责，但 Linus Torvalds 认为根本原因是硬件问题，可以追溯到当今机器中非 ECC RAM 的流行。
但这是一个切线......归根结底是PC制造商偷工减料。经典的制造问题。
现在 PC 硬件被认为是一次性的，这里可能有一些理由：RAM 开始变得脆弱，只需扔掉机器并购买一台新机器。事实是，市场上充斥着非技术和非 PC 制造商，所以嘿……它很臭，但就是这样。
mas*_*sgo 39
就历史而言，我同意@Giacomo1968 提供的答案。然而，目前的状态正在发生变化。AMD 最近开始在其当前用于 AM4 插槽的台式机 CPU 产品线中支持 ECC 内存：“ECC 未被禁用。它可以工作，但未针对我们的消费者客户端平台进行验证。” （来源：Reddit）
也就是说，主板也需要支持这一点。一些消费者委员会有，一些没有。
Zan*_*ynx 38
多一点解决这个问题：
微软试图让 ECC 成为 Vista 认证的必需功能，但英特尔拒绝这样做。在 Core i7 系列之前，内存控制器是主板的一部分，而 ECC 支持是主板芯片组的一项功能。
您可以获得带有 ECC 的笔记本电脑。例如，您可以通过 Xeon-W CPU 和 ECC RAM 获得 Dell Precision Workstation 系列。
您可以购买任何锐龙 CPU。好吧，任何没有集成显卡的锐龙。要使集成显卡与 ECC 配合使用，您需要一个很难找到的 Pro 版本，除非您在预建系统中购买它。
使用 Ryzen 和 ASUS PRO 系列这样的主板，无缓冲 ECC 会很好用。
对于注册的缓冲 ECC 模块，您需要一个真正的 Xeon 或 EPYC CPU，因为这些 RAM 类型的控制方式不同。
在不久的将来，DDR5 RAM 可以选择在内部使用 ECC，而无需来自 CPU 的任何通知或控制。它还可以选择向支持它的 CPU 提供信号和控制。
这是您今天可以购买的 ECC 模块的示例。我为 Ryzen 版本买了四个：
“Crucial 服务器内存 16GB DDR4 DIMM 288 针 - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19-1.2 V - 无缓冲 - ECC CT16G4WFD8266”
我会提供一个亚马逊链接，但这可能会被视为垃圾邮件。另请注意，您现在可以获得 3,200 MHz 速度的 ECC 模块。
Pet*_*ith 38
一两年前，我可以为我组装的 PC 购买 ECC（纠错码）RAM。ECC RAM 提供 SEC-DED，我猜是由电离辐射引起的位翻转（我不知道还有什么可能导致 RAM 或 I/O 总线中出现瞬时位错误）。
位错误有 3 个一般原因，其中前两个是单事件翻转：
辐射（主要是自由中子）。这种特殊现象取决于许多因素，例如特定设备的中子截面。这似乎与直觉相反，但较新的小得多的几何结构由于中子而发生翻转的可能性较低，因为它们被设计为不太容易受到影响。请参阅Xilinx 链接（从下方）。
铅，特别是 Pb210，它是铀衰变链的一部分，存在于 BGA 器件球中的旧套件中。Xilinx将由此产生的误差称为 alpha 率，因为它们在衰减过程中会发射 alpha 粒子。显然，对于当前的大量无铅设备来说，这不是一个问题（但在航空航天领域仍然是一个相当大的问题，在那里锡铅加工仍然很普遍）。
一般误码率问题。内存接口是一个通信通道，所有的通信通道都有一个错误率。诚然，您可能永远不会在特定设备的使用寿命中看到一个位错误，因为这是一个统计量。由于电噪声和设备去耦不良引起的错误也属于这一类。
即，如果十年前 ECC RAM 被认为是一项有用的功能，那么它有用的原因是否不再适用于当前的个人计算机和服务器？或者现在认为 ECC RAM 从来没有真正有用过？
它很有用，但价值有限，尽管可以通过使用它来减轻许多旁道攻击。
您在市售电路板上找不到它的真正原因只是成本，而那些确实有它的电路板有相当大的溢价，远高于处理它的硅片成本和额外的 8 个数据位（对于一个64 位存储系统）。成本效益分析不支持其广泛的可用性。
我记得波音公司的一篇研究论文讨论了丹佛数据中心的软错误。自由中子的数量（达到一定水平）与高度成正比。你走得越高，就有越多。
如果 ECC 内存在 20 年前有用，那么现在 PC 运行的内存增加了 1-2 个数量级，电压更低，物理特征更小，（大概）更容易受到杂散辐射的破坏，这可能会更有帮助。这些假设中的任何一个是错误的吗？
我们今天的存储器接口是远远更强大的比你想象的; 对于 DDRx，数据选通是差分的（因此它们可以抑制共模噪声）并且较低的转换电压实际上更适合高速接口，正如我们多年前用ECL证明的那样。
在航空电子设备中，尤其是飞行安全关键的航空电子设备，例如飞行控制计算机，L2 及更高级别的 ECC 的使用是强制性的，L1 的奇偶校验也是如此。这就是这些卡不是来自 Intel 或 AMD 的原因之一。
[更新]。存储单元布局的细节对其对 SEU 的敏感性有相当大的影响；赛灵思采用了一种特殊方法，可以有效地堆叠存储单元，从而显着降低高能中子导致位翻转的可能性。
因为我不是IC 设计师，所以我只能这么说。Rosetta Project 中有更多信息。
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