我正在为我的嵌入式应用程序使用串行NOR闪存(基于SPI),我还必须在其上实现文件系统.这使得我的NOR闪存更容易出现频繁的擦除和写入周期,其中具有磨损等级算法.我想问一些关于同样的问题:
首先,是否有可能为Nor flash实现磨损等级算法,如果是,那么为什么大多数时候我找到NAND闪存而非NOR闪存的解决方案？
其次,基于串行SPI的低成本NAND闪存可用,如果是,那么请分享相同的部件号.
第三,实施我们自己的磨损等级算法有多难？
第四,我也读过/听说工业级NOR闪存具有更高的擦除/写入周期(以百万计!!),这种理解是否正确？如果是,那么请让我知道这样的SPI NOR闪存的细节,这也可能导致避免实施磨损等级算法,如果不完全那么因为我打算实施我自己的磨损等级算法,它可能会给我一点点在某些区域可以轻松实现磨损等级算法.
所有这些点的限制是成本,我希望对这些问题采用低成本解决方案.
提前致谢
问候
Aditya Mittal
(mittal.aditya12@gmail.com)
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