TL; DR:

1. 为什么不(unsigned long)(0x400253FC)等同(unsigned long)((*((volatile unsigned long *)0x400253FC)))？
2. 如何制作一个与前者合作的宏？

背景资料

环境

我正在使用ARM Cortex-M3处理器,TI 的LM3S6965,以及他们的StellarisWare(免费下载,出口控制)定义.我正在使用gcc版本4.6.1(Sourcery CodeBench Lite 2011.09-69).Stellaris在"inc/lm3s6965.h"中提供了大约5,000个寄存器和内存地址的定义,我真的不想重做所有这些.但是,它们似乎与我想写的宏不兼容.

比特带

在ARM Cortex-M3上,一部分内存的别名为外设和RAM内存空间的每位32位字.将地址0x42000000的存储器设置为0x00000001会将地址0x40000000的存储器的第一位设置为1,但不会影响字的其余部分.要更改位2,请将0x42000004处的字更改为1.这是一个简洁的功能,非常有用.根据ARM技术参考手册,计算地址的算法是:

bit_word_offset = (byte_offset x 32) + (bit_number × 4)
bit_word_addr = bit_band_base + bit_word_offset

哪里:

• bit_word_offset 是位带存储区中目标位的位置.
• bit_word_addr 是别名内存区域中映射到目标位的字的地址.
• bit_band_base 是别名区域的起始地址.
• byte_offset 是包含目标位的位带区域中的字节数.
• bit_number 是目标位的位位置0到7

比特带的实现

该"inc/hw_types.h"文件包含以下实现此算法的宏.为了清楚起见,它为基于字的模型实现它,该模型接受4字节对齐的字和0-31位的偏移,但结果地址是等效的:

#define HWREGBITB(x, b)                                               \
    HWREGB(((unsigned long)(x) & 0xF0000000) | 0x02000000 |               \
           (((unsigned long)(x) & 0x000FFFFF) << 5) | ((b) << 2))

该算法采用SRAM中的基数为0x20000000或外围存储空间为0x40000000),并将其与0x02000000进行或运算,并添加位带基址偏移量.然后,它将偏移量与基数相乘32(相当于左移五位)并加上位数. …

基本上，我很难使执行时间比实际时间要短，并且要减少时钟周期和内存大小。有谁知道我该怎么做吗？代码工作正常，我只想稍作更改。

编写了有效的代码，但不想弄乱代码，但也不知道要进行哪些更改。

; Calculation of a factorial value using a simple loop

; set up the exception addresses
THUMB
AREA RESET, CODE, READONLY
EXPORT  __Vectors
EXPORT Reset_Handler
__Vectors 
DCD 0x00180000     ; top of the stack 
DCD Reset_Handler  ; reset vector - where the program starts

AREA 2a_Code, CODE, READONLY
Reset_Handler
ENTRY
start   
MOV r1,#0    ; count the number of multiplications performed 
MOV r2,#3    ; the final value in the factorial calculation
MOV r3,#1    ; the factorial result will be stored …

我正在使用以下代码为 ARM 执行简单的基于计数器的延迟/等待：

.thumb_func
dowait:
   ldr r7,=0x200000
dowaitloop:
   sub r7,#1
   bne dowaitloop
   bx lr        

我从 dwelch 的blinker01 mbed_samples获得了这个函数，它在其他 LED 闪烁类型的示例程序中运行良好。但是，我目前正在处理的程序需要.syntax unified位于顶部，因为我使用的是 Thumb-2 指令（例如 ITTEE）。

我怀疑“.syntax统一”是问题所在，因为我采用了已知工作的blinker01示例并添加了.syntax unified它，当我上传到我的电路板时它不再工作。

虽然我还没有弄清楚所有的gdb 东西来证明它，但该函数似乎没有计算/延迟。

是否有不同的方法来重新编写这个“延迟”函数以使用统一的/Thumb-2 语法？

这是我的代码:

volatile uint32_t value = *((volatile uint32_t *) 0xA0000000); // here `value` is 12498
value *= 2; // here `value` is still 12498
value |= 0x0000001; // still 12498

value在我的调试器中分析变量时,它在所有行上保持相同的值.我究竟做错了什么？

我正在学习使用基于arm cortex m3的MCU STM32f100RB.为了测试定时器6,我写了一些代码,如下所示.它应该使LED闪烁.但它不起作用.任何人都可以帮我告诉我什么是问题？定时器是否正确初始化？谢谢

#include "stm32f10x.h"
#include "stm32f10x_rcc.h"
#include "stm32f10x_gpio.h"
#include "stm32f10x_tim.h"

void delay_millisec(register unsigned short n);

int main(void)
{
    RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOC | RCC_APB1Periph_TIM6, ENABLE);

    GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
    GPIO_StructInit(&GPIO_InitStructure);
    GPIO_InitStructure.GPIO_Speed  =     GPIO_Speed_2MHz;
    GPIO_InitStructure.GPIO_Pin    =     GPIO_Pin_8;     //enable the pin 8 and pin 9
    GPIO_InitStructure.GPIO_Mode   =     GPIO_Mode_Out_PP;
    GPIO_Init(GPIOC, &GPIO_InitStructure);

    while(1)
    {
        GPIO_WriteBit(GPIOC, GPIO_Pin_8, Bit_RESET);
        delay_millisec(1000);

        GPIO_WriteBit(GPIOC, GPIO_Pin_8, Bit_SET);
        delay_millisec(1000);
    }
    return 0;
}

void delay_millisec(register unsigned short n) 
{
   if (n > 1) n--;
   TIM6->PSC = 23999;   // Set prescaler to 24,000 (PSC + …

背景:
我使用的是没有操作系统的cortex-M3 ARM内核.

我的主循环等待来自中断处理程序的标志然后执行一个函数doBigTask().

在一个单独的中断处理程序中,我想执行另一个函数doSmallTask(),但由于这个函数也非常重要,我仍然希望处理其他与I/O相关的中断.

我的问题:
从内部简单地启用中断是否存在任何问题doSmallTask()？例如,在中断已经被禁用后退出中断处理程序是否有任何复杂性？

注意:我不希望发生重入中断,因为doSmallTask()在下一个中断触发它之前就会完成.

int flag = 0;

void doSmallTask()
{
   asm volatile ("cpsie i");  // Enable interrupts
   // do rest of function
   // ...
}

void irqHandler1()
{
   flag = 1;
}

void irqHandler2()
{
  doSmallTask();
}

void irqHandler3()
{
  // service I/O
}

int main()
{
  while(1)
    if (flag)
    {
      doBigTask();
      flag = 0;
    }
}

我正在将一些代码从M3移植到使用3个NOP的M4，以在串行输出时钟更改之间提供非常短的延迟。M3指令集将NOP的时间定义为1个周期。我注意到M4中的NOP不一定会延迟任何时间。我知道我将需要禁用编译器优化，但是我正在寻找一个低级命令，该命令将给我可靠，可重复的时间。实际上，在这种特殊情况下，串行经常被使用，并且速度可能很慢，但是我仍然想知道获得周期级延迟的最佳方法。

我最近遇到了一个只在中断处理程序中被修改的变量的问题.变量本身并未声明为volatile,因此在更高的优化级别下,编译器会破坏代码.但是,编译器足够聪明,可以编译中断代码,因为中断仍会触发.

所以这是我的问题:

1. 如果编译器足够聪明以编译中断代码,为什么它不够聪明才能意识到变量在该中断内被改变了？

2. 在更高的优化级别,未调用的函数会被优化.由于没有代码调用中断处理程序,因此它应该被优化掉.什么原因导致编译器编译中断代码？

我们有一个论文项目正在工作，他们正试图让外部 RAM 为 STM32F417 MCU 工作。该项目正在尝试一些真正需要资源且内部 RAM 不够的东西。

问题是如何最好地做到这一点。

当前的方法只是将链接脚本 (gnu ld) 中的 RAM 地址替换为外部 RAM 的地址。

这种方法的问题在于，在初始化期间，由于 FSMC 尚未初始化，因此芯片必须在内部 RAM 上运行。

它似乎可以工作，但是一旦 pvPortMalloc 运行，我们就会遇到一个硬错误，这可能是由于取消引用虚假地址，我们可以看到变量在系统初始化时没有正确初始化（我猜这是有道理的，因为内部 RAM 不是完全使用，可能应该使用）。

我意识到这是一个模糊的问题，但是在 Cortex M4 MCU（更具体地说是 STM32F4）上的外部 RAM 中运行代码时，一般的方法是什么？

谢谢

我在cortex m3指南中找到了两个陈述(红皮书)1.Cortex m3同时支持Little和big endianess.2.复位后,endianess不能动态更改.

所以它间接地告诉重置处理程序中的更改endianess设置,是这样吗？

如果是,那么如何改变endianess.我需要配置哪些寄存器以及配置位置(在复位或异常处理程序中)

改变endianess实际上并不是一个好主意但是作为一个好奇心我想看看cortex m3是否真的支持这两个endianess？

我想知道在基于ARM M3的MCU上,使用VTOR寄存器重定位向量表有什么好处？我理解的原因是:

1. 需要在运行时更改向量表,并且默认地址(0x0是只读)
2. 从SRAM读取(假设它重新定位到SRAM区域的开头)可能比闪存区域更快？

这是否意味着如果在编译期间定义并知道所有中断处理程序,则根本不需要使用VTOR？

有没有办法禁用Cortex M3 MCU中的所有irq,除了一个？

我的问题是我有一个系统运行几种具有不同优先级的irq,我想禁用所有irq,除了特定状态的irq.

我知道我可以通过使用"__disable_irq()"指令来禁用所有irq,但是如果我之前没有调用"__enable_irq()",则在调用此指令后我无法启用一个irq.

谢谢你的帮助,

问候