Ma9*_*9uS 6 android flash-memory
我正在编写一个Android应用程序,它将数据每秒写入文件几次,整个文件大小约为1MB,此文件被删除后,新文件启动.我是否应该担心电话的闪存耗尽,导致其失败？你知道Android是否将写入分配到不同的扇区以最小化闪存降级,即使应用程序写入连续文件？日志系统是否以类似的方式工作？换句话说,如果我记录很多(每秒几条记录),会影响手机的闪存资源吗？
不用担心这一点,但除了闪存写入周期之外,我还会修改应用程序逻辑 - 1MB并不是那么多,所以在内存中缓冲数据并定期将其刷新到文件(但不那么频繁)应该可以加速你的应用程序(因为我认为你的写作是同步的).
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Wiki 得到了一些数据供考虑:
写耐力
SLC浮栅NOR闪存的写入耐久性通常等于或大于NAND闪存的写入耐久性,而MLC NOR和NAND闪存具有类似的耐久性能力.示例提供了NAND和NOR闪存的数据表中列出的耐久性周期等级.
- SLC NAND闪存通常额定为约100k周期(Samsung OneNAND KFW4G16Q2M)
- MLC NAND闪存曾被评为大约5k - 10k周期(三星K9G8G08U0M),但现在通常为1k - 3k周期
- TLC NAND闪存通常额定为约1k周期(三星840)
- SLC浮栅NOR闪存具有100k至1M周期的典型耐久性等级(Numonyx M58BW 100k; Spansion S29CD016J 1,000k)MLC浮栅NOR闪存具有100k周期的典型耐久性等级(Numonyx J3闪存)