内核耦合存储器 (CCM)、中断和 STM32F3xx

Question

我目前正在使用 STM32F303xx 系列芯片。它们具有核心耦合存储器 (CCMRAM)，可以执行与 F4 系列上的 CCM 不同的代码。我已将关键例程（例如 ISR）放入 CCM 并想知道什么是最有效的设置，将中断向量表也放入 CCM 或普通 SRAM 中，但我有点坚持那个。任何人都可以向我暗示正确的方向吗？

Answer 1

我不确定它是否直接对代码执行性能产生任何影响，但关键在于总线架构、数据和代码的放置位置，以及是执行 DMA 操作还是写入闪存。

闪存、SRAM 和 CCM 各自位于单独的总线上，在许多 STM32 部件上是 SRAM，对于较大的部件，闪存进一步分为多个总线。因此，当从一个执行代码时，可以从另一个并发获取数据。但是，如果您将数据和指令放在同一个内存中，则指令和数据访问必须串行化。同样，如果您对内存进行 DMA 操作，这也会影响数据访问和从同一内存中获取指令。

在大多数情况下，由于闪存加速器，STM32 上片上闪存的代码执行延迟很少或没有延迟，因此将代码放入 CCM 可能根本没有什么好处。在对闪存进行编程时需要执行的代码是一个例外，因为闪存写/擦除操作会在 STM32 上使总线停顿很长时间。

为了提高性能，最好将其安排为 DMA、取指令和数据访问大部分都发生在不同的总线上。还要记住，您不能通过 DMA 或位带访问 CCM。因此，CCM 适用于指令或数据（其中不需要 DMA 或位带访问），但理想情况下不能同时使用。

当 CCM 或 SRAM 用于代码时，您会增加将代码放入 RAM 中的链接器/启动复杂性，并且与片上闪存相比，错误代码或安全缺陷可能导致代码损坏，而性能优势很小或没有显着优势. 任何类型的外部存储器都会明显变慢 - 部分原因是 EMIF 的时钟速率，还因为它是所有外部存储器的数据和指令的单一总线。