kos*_*pap 11 memory avr
目前编码atmel tiny45微控制器,我使用了几个查找表.存放它们的最佳位置在哪里？你能给我一个关于sram-flash-eeprom之间内存速度差异的一般概念吗？
Jim*_*myB 10
EEPROM是目前最慢的替代方案,写访问时间为10ms.读取访问速度与FLASH访问速度一样快,加上地址设置和触发的开销.由于EEPROM的地址寄存器中没有自动递增,因此每读取一个字节至少需要四条指令.
SRAM访问是最快的(直接寄存器访问除外).
FLASH比SRAM慢一点,并且在每种情况下都需要间接寻址(Z指针),这可能是也可能不需要SRAM访问,具体取决于表的结构和访问模式.
对于指令的执行时间看AVR指令集,尤其是LPM对的LDS,LD和LDD指令.
LPM
LDS
LD
LDD
归档时间：
12 年，9 月 前
查看次数：
6300 次
最近记录：
10 年，10 月 前